小米氮化镓充电器具备65W功率，体积却只有同样功率的传统充电器的一半，具备小巧、高效、发热低等优点。让小米充电器具备如此多优点的“功臣”，就是氮化镓材料。
氮化镓是第三代半导体材料(即化合物半导体)的典型代表。相较于第一代半导体材料硅、锗，第二代半导体材料砷化镓、磷化铟等，第三代半导体材料(包括氮化镓、碳化硅、氧化锌等)能够承受更高的电压、适合更高频率，可实现更高的功率密度，并具有耐高温、耐腐蚀、抗辐射、禁带宽度大等特性，在高频、高功率的电力电子、微波射频等领域具有广泛的应用前景。
002255.SZ海陆重工3.0319.53 09:30:00氮化镓1
002023.SZ海特高新13.3187.75 09:31:00氮化镓+芯片1
300812.SZ易天股份70.2413.61 10:33:45oled+芯片+科创1
300708.SZ聚灿光电14.4312.71 13:03:00砷化镓1
300102.SZ乾照光电4.9835.23 14:41:16氮化镓光电器件1
002428.SZ云南锗业13.1884.92 14:46:31GAaS单晶片1
海能实业（300787）有氮化镓方面的技术储备，已自主研发出快充氮化镓产品，能够为客户提供ODM制造服务。公司快充最大功率为112W，更大功率的快充产品在研发和测试中。
富满电子（300671）目前有可搭配氮化镓的中高功率（65W以上）主控芯片，与OPPO协作研发氮化镓充电器产品。
海特高新（002023）可代工氮化镓PD芯片，公司已掌握5G宏基站的射频氮化镓代工工艺技术；
京泉华（002885）氮化镓技术产品PD 65W快充电源适配器已经开始批量生产；
台基股份（300046）公司持续跟踪和研发以GaN（氮化镓）为代表的第三代宽禁带半导体材料和器件技术，促进公司战略发展
$华润微(sh688396)$通过6英寸和8英寸平台同步开展研发氮化镓功率器件，从衬底材料、器件设计、制造和封装工艺全方位布局。
$士兰微(sh600460)$已建成6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线，涵盖材料生长、器件研发、 GaN电路研发、封装、系统应用的全技术链。
$兆驰股份(sz002429)$ 控股子公司兆驰半导体专业从事氮化镓芯片的研发生产和销售，具备氮化镓外延片到芯片的全制程能力。