江波龙 (301308): 回答：答：随着存储原厂战略性退出 NOR Flash、SLC NANDFlash 等成熟制程小容量存储市场，公司充分发挥自身芯片设计能力，持续积极投入存储芯片设计业务。公司自研SLC NAND Flash 存储芯片采用工艺 4xnm、2xnm 工艺，已有 512Mb 至 8Gb 的 5 款产品实现量产，能够为客户提供多种电压、多种封装、多种接口的 SLC NAND Flash 存储解决方案。2024 年上半年，公司小容量存储芯片业务差异化竞争优势进一步凸显，已经构建以汽车电子用户为主体、网通工业客户为补充的客户矩阵，累计出货量已远超 5000万颗。考虑到多数存储原厂（如三星、铠侠、美光等）已于近期发布 QLC NAND Flash 的大容量存储产品，基于成本效率原则，存储原厂可能逐渐退出 MLC NAND Flash 市场（与存储原厂退出 SLC NAND Flash 市场的逻辑类似），公司将以 SLC NAND Flash 作为起点，积累存储芯片设计能力与芯片工艺实现经验，渐进式地拓展 MLC NAND Flash 设计能力，首颗 32Gbit 2D MLC NAND Flash 已经完成流片验证。

2024-08-30 00:00:00