尊敬的投资者您好，2024年3月21日国家发展改革委员会等5部门联合发布《关于做好2024年享受税收优惠政策的集成电路企业或项目、软件企业清单制定工作有关要求的通知》，明确2024年享受税收优惠政策的企业条件和项目标准、重点集成电路设计领域和重点软件领域，进一步精准施策，支持企业攻坚克难、勇往直前，更好促进集成电路产业高质量发展。燕东微将积极响应政策号召，基于公司发展战略以及长远效益的考量，持续加大研发投入，提升公司核心竞争力。谢谢。

2024-11-11 11:53:00

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尊敬的投资者您好，未来公司将根据所处发展阶段，平衡好资本开支、经营性资金与现金分红需求，兼顾股东的短期利益和长期利益，按照法律法规以及《公司章程》等关于现金分红的规定，建立长期、稳定的分红机制，及时回馈投资者。谢谢。

2024-11-11 11:53:00

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尊敬的投资者您好，经过多年积累，公司在主要业务领域已形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，相关核心技术均已经成熟并广泛应用于公司批量生产的产品中，2024年上半年：公司基于8英寸、 12英寸晶圆生产线持续提升高密度功率器件沟槽图形化工艺能力，比导通电阻性能提升 10%以上，导通电阻达到业内先进水平；1200V SiC SBD 产品完成技术迭代，功率密度达到国内先进水平；1200V SiC MOS产品完成关键工艺优化，导通电阻、漏电流等主要参数达到行业主流产品水平；基于现有 SiN 硅光工艺平台，完成5款新产品研制，转入量产实现稳定供货；在射频领域拓展方面，完成 13.56MHz 射频电源千瓦级产品的研制，实现量产交付。 公司始终秉承质量第一、客户至上的经营理念，在多个细分领域推出了品质优异、性能稳定的系列化产品，满足了客户需求，获得了市场认可。

2024-11-11 11:56:00

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尊敬的投资者您好，公司以2024 年度经营工作方针——持续深入推进精益管理，全面提升质量管控水平，以持续提升生产保障能力和强化技术驱动市场能力为指引，聚焦核心经营业务、强化目标导向，持续建立健全运营管控体系建设，加快新建产能爬坡，明确了12吋线产能释放计划，预计年底实现月产出 2 万片。公司根据12吋线的生产管理需求，全面实现了投入和产出、设备稼动、产线 move 作业量、在制品周转率、在线良率监控等情况的可视化工作，目前正在进行 AMHS 系统的实施，预计 4 季度实现全线试运行； 6 吋生产线稳步运转，月度稳定产出 55K 以上；8 吋生产线经过了核心生产设备的更新迭代工作和提升设备稼动率的措施，预计下半年实现月度稳产 50K 以上。公司将努力通过良好的业绩表现、规范的公司治理，切实履行上市公司的责任和义务，回馈投资者的信任，维护公司市场形象，共同促进资本市场平稳健康运行。

2024-10-11 11:56:00

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尊敬的投资者您好，受客观市场环境变化影响，消费类电子产品市场需求疲软，价格有所下滑，公司不断加大新品研发，积极开发新产品及新工艺平台，由传统的消费类市场向新能源、工业、汽车等新领域转移，不断提升公司综合竞争力。

2024-10-11 11:58:00

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尊敬的投资者您好，公司硅光平台分别在8英寸产线和12英寸产线均取得较大进展，其中8英寸SiN工艺平台已实现量产，8英寸SOI工艺平台完成部分关键器件开发；12英寸SOI工艺平台完成部分关键工艺开发。 2024年上半年，公司在硅光芯片制造领域实现了波导损耗改善、工艺集成优化等技术突破，特别是在SiN工艺平台上，成功实现了硅光芯片的大规模量产，月产能达1000片，这一平台不仅优化了生产流程，还显著提升了生产效率与产品质量，标志着公司迈出了重要一步；同时，公司攻克了厚SiN波导薄膜淀积带来的晶圆翘曲问题、波导与包层材料刻蚀所引起侧壁粗糙等多项关键技术难题，使得关键指标波导传输损耗与硅光芯片良率达到了业界先进水平。客户对产品性能与服务质量给予了高度认可，已广泛应用于光通信、光互连、光传感等领域。公司将积极拓展应用领域，扩大市场规模，月度需求超过1000片，预计年度内累计交付客户超5000片。 公司8英寸相关硅光产品已实现市场化销售，12英寸已完成硅光关键工艺开发。

2024-10-11 11:59:00

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尊敬的投资者您好，2024年上半年，公司获得如下研发成果： （1）12英寸晶圆生产线高密度功率器件具备批量稳定量产能力，良率达到98.5%以上； （2）基于8英寸、12英寸晶圆生产线持续提升高密度功率器件沟槽图形化工艺能力，比导通电阻性能提升10%以上，导通电阻达到业内先进水平； （3）车规级IGBT工艺平台实现批量生产； （4）基于超高压700VBCD工艺平台基础,实现22款产品规模化量产； （5）基于8英寸晶圆生产线，完成CMOS工业用电机驱动电路量产； （6）1200VSiCSBD产品完成技术迭代，功率密度达到国内先进水平；1200VSiCMOS产品完成关键工艺优化，导通电阻、漏电流等主要参数达到行业主流产品水平； （7）基于现有SiN硅光工艺平台，完成5款新产品研制，转入量产实现稳定供货； （8）完成通用逻辑系列产品量产交付；32通道总线收发器产品通过客户验证； （9）完成5V/40VSOICMOS工艺平台搭建，代表产品通过可靠性认证； （10）在射频领域拓展方面，完成13.56MHz射频电源千瓦级产品的研制，实现量产交付。 未来，公司将通过继续加大研发投入，加强科技人才队伍建设，加强科研项目管理，制定行之有效的专项研发激励机制等方面，增强公司核心竞争力。

2024-10-11 11:59:00

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尊敬的投资者您好，公司上半年公司持续加强人才建设，引进 4 名国内外行业专家，6 名博士，18名资深工艺工程师等，不断扩充项目技术研发团队力量；同时，不断优化公司技术中心组织管理体系，根据公司技术发展方向构建不同技术研究室，按照工艺路线调整技术研究室业务分工，优化人员配置。 由技术中心专家开展内部技术交流培训和分享，加强研发团队技术人员能力培养，助推研发团队加速成长。此外，通过修订完善研发部门绩效管理办法，更好统筹组织绩效和个人绩效管理，对研发人员绩效目标按月进行分解和考核，全面激发科技人才队伍创新活力。 2024年下半年开展了限制性股票激励计划，以促进科研人员有效开展创新研发工作。

2024-10-11 12:02:00

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尊敬的投资者您好，在当前激烈的市场竞争环境下，燕东微将继续坚持创新为核心的发展战略，不断加大新品研发投入，积极开发新产品及新工艺平台，由传统的消费类市场向新能源、工业、汽车等新领域转移，不断提升公司综合竞争力。2024年上半年公司部分在研项目进展及阶段性成果如下： （1）6 英寸SiC芯片研发项目：进一步优化了产品的参数性能，多款产品产出优化后的样品， MOSFET工艺平台完成部分关键工艺优化； （2）IGBT技术升级项目：消费类沟槽型IGBT、车规级IGBT完成开发并实现批量生产； （3）沟槽分离栅MOSFET（SGT）工艺平台开发项目：100V SGT 已实现量产，目前正在结合快充应用场景对现有技术平台进行迭代升级和拓展； （4）热成像工艺平台开发项目：完成热成像工艺平台首款产品终端验证，实现了消费类热成像应用； （5）12 英寸硅光 SOI工艺平台开发项目：完成版图设计，开展工艺验证，已完成核心工艺技术复杂图形光刻工艺、低侧壁粗糙度刻蚀工艺验证； （6）磁耦合数字隔离器开发项目：完成电感隔离结构电路设计、版图设计，完成 MPW流片，电路功能正常； （7）硅高频功率MOS 场效应晶体管的系列化研发项目：2 款硅高频LDMOS产品小批量试生产；5款硅高频LDMOS产品评测合格，通过客户验证；2 款LDMOS新产品导入中； （8）54AC 项目：新增完成1款54AC系列产品的鉴定检验。累计完成15款54AC系列产品鉴定检验； （9）高压大功率驱动电路工艺平台研发项目：完成一款芯片功能验证，发布 PDK0.1； （10）12 英寸0.18um 40V/100V 工业驱动芯片工艺研发项目：确定了两个平台的器件清单及器件结构，完成两个平台初版flow制定； （11）多电压档超高压BCD 工艺平台研发项目：完成不同电压档（5V~600V）器件结构设计、tapeout准备工作、flow流程搭建，核心工艺开发； （12）模拟开关系列研发项目：完成6款模拟开关产品鉴定检验，14款完成流片，评测中，9款流片中。 2024年上半年实现了硅光工艺平台产品的量产，这一里程碑式的成就标志着公司在硅光技术领域的重大突破。硅光产品凭借其集成度高、成本低、功耗低等优势，已成功应用于光通信、光互连、激光雷达等多个关键领域。未来，燕东微将继续深耕硅光芯片领域，加大科研投入，推动技术创新与产业升级，积极回报投资者。

2024-09-10 15:34:11

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尊敬的投资者您好，公司二季度营业收入较一季度基本持平，由于受市场变化、部分产品价格下降及需求下滑多种因素的影响，二季度较一季度净利润有所下降，公司管理层积极调整现有产线产品结构，推进产品结构转型升级，持续加大研发投入，2024年上半年研发费用11,332.63万元，同比增长1,876.78万元，在研发强度的推动下，公司取得了如下研发成果： （1）12英寸晶圆生产线高密度功率器件具备批量稳定量产能力，良率达到98.5%以上； （2）基于8英寸、12英寸晶圆生产线持续提升高密度功率器件沟槽图形化工艺能力，比导通电阻性能提升10%以上，导通电阻达到业内先进水平； （3）车规级IGBT工艺平台实现批量生产； （4）基于超高压700VBCD工艺平台基础，实现22款产品规模化量产； （5）基于8英寸晶圆生产线，完成CMOS工业用电机驱动电路量产； （6）1200VSiCSBD产品完成技术迭代，功率密度达到国内先进水平；1200VSiCMOS产品完成关键工艺优化，导通电阻、漏电流等主要参数达到行业主流产品水平； （7）基于现有SiN硅光工艺平台，完成5款新产品研制，转入量产实现稳定供货； （8）完成通用逻辑系列产品量产交付；32通道总线收发器产品通过客户验证； （9）完成5V/40V SOI CMOS工艺平台搭建，代表产品通过可靠性认证； （10）在射频领域拓展方面，完成13.56MHz射频电源千瓦级产品的研制，实现量产交付。 公司在上半年实现了硅光工艺平台产品的量产，同时在8英寸相关硅光产品方面也实现了市场化销售，未来，燕东微将继续深耕硅光芯片领域，加大科研投入，推动技术创新与产业升级，公司将积极拓展产品应用领域，持续扩大市场规模，提高运营效率与经营效益。

2024-09-10 15:34:11

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尊敬的投资者您好，在当前激烈的市场竞争环境下，燕东微将继续坚持创新为核心的发展战略，不断加大新品研发投入，积极开发新产品及新工艺平台，由传统的消费类市场向新能源、工业、汽车等新领域转移，不断提升公司综合竞争力。2024年上半年公司部分在研项目进展及阶段性成果如下： （1）6 英寸SiC芯片研发项目：进一步优化了产品的参数性能，多款产品产出优化后的样品， MOSFET工艺平台完成部分关键工艺优化； （2）IGBT技术升级项目：消费类沟槽型IGBT、车规级IGBT完成开发并实现批量生产； （3）沟槽分离栅MOSFET（SGT）工艺平台开发项目：100V SGT 已实现量产，目前正在结合快充应用场景对现有技术平台进行迭代升级和拓展； （4）热成像工艺平台开发项目：完成热成像工艺平台首款产品终端验证，实现了消费类热成像应用； （5）12 英寸硅光 SOI工艺平台开发项目：完成版图设计，开展工艺验证，已完成核心工艺技术复杂图形光刻工艺、低侧壁粗糙度刻蚀工艺验证； （6）磁耦合数字隔离器开发项目：完成电感隔离结构电路设计、版图设计，完成 MPW流片，电路功能正常； （7）硅高频功率MOS 场效应晶体管的系列化研发项目：2 款硅高频LDMOS产品小批量试生产；5款硅高频LDMOS产品评测合格，通过客户验证；2 款LDMOS新产品导入中； （8）54AC 项目：新增完成1款54AC系列产品的鉴定检验。累计完成15款54AC系列产品鉴定检验； （9）高压大功率驱动电路工艺平台研发项目：完成一款芯片功能验证，发布 PDK0.1； （10）12 英寸0.18um 40V/100V 工业驱动芯片工艺研发项目：确定了两个平台的器件清单及器件结构，完成两个平台初版flow制定； （11）多电压档超高压BCD 工艺平台研发项目：完成不同电压档（5V~600V）器件结构设计、tapeout准备工作、flow流程搭建，核心工艺开发； （12）模拟开关系列研发项目：完成6款模拟开关产品鉴定检验，14款完成流片，评测中，9款流片中。 2024年上半年实现了硅光工艺平台产品的量产，这一里程碑式的成就标志着公司在硅光技术领域的重大突破。硅光产品凭借其集成度高、成本低、功耗低等优势，已成功应用于光通信、光互连、激光雷达等多个关键领域。未来，燕东微将继续深耕硅光芯片领域，加大科研投入，推动技术创新与产业升级，积极回报投资者。

2024-09-10 15:34:11

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尊敬的投资者您好，公司于2022年12月16日在上海证券交易所科创板上市，2022年收入21.75亿元，归属于上市公司股东的净利润4.62亿元，2023年收入21.27亿元，归属于上市公司股东的净利润4.52亿元，2024年1-6月收入6.17亿元，归属于上市公司股东的净利润-1513万元，2024年上半年业绩下滑主要受市场变化、部分产品价格下降及需求下滑等多种因素的影响。在当前激烈的市场竞争环境下，燕东微始终坚持创新为核心的发展战略，积极开发新产品及新工艺平台，持续扩大市场规模，深耕硅光芯片领域，不断加大新品研发投入，积极推动产品更新换代，实施产品结构调优，提升综合竞争力。

2024-09-10 15:34:11

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尊敬的投资者您好，公司一直聚焦主业，努力提升经营质量，加快12英寸新建产能爬坡速度，根据市场需求并结合已有6英寸及8英寸生产线的整体资源配置情况，不断调整产品结构，提高产能利用率；同时，公司高度重视研发投入，不断增强核心竞争力，2023年研发投入2.95亿元，研发投入总额占营业收入比例为13.92%，同比增长5.96%。另外，公司不断加强人才队伍建设，持续加强人才引进。 股票价格受宏观经济、行业政策、行业估值、市场波动、投资者情绪等多重因素影响，目前公司生产经营一切正常，公司会持续关注市场动态，并做好经营管理，努力提升经营业绩，争取更好的回报广大投资者。感谢您的关注！

2024-08-26 15:34:23

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尊敬的投资者您好，公司于2022年12月16日在上海证券交易所科创板上市。感谢您的关注。

2024-08-26 15:34:23

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尊敬的投资者您好，硅光芯片与传统的集成电路芯片为互补关系，在各自的领域有其自身的优势。硅光技术近些年来发展很快，在光通信、激光雷达扫描、AI大数据等领域得到了广泛的应用，但是在纯光计算、光存储等领域尚在理论探索和原型机阶段，还有很多技术难题需要攻克。在可以预见未来的一段时间内，硅光芯片与集成电路芯片将共同发展。

2024-06-20 16:35:45

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尊敬的投资者您好，公司主营业务包括产品与方案和制造与服务两大类。公司产品与方案板块的产品包括分立器件及模拟集成电路、特种集成电路及器件。公司制造与服务板块聚焦于提供半导体开放式晶圆制造和封装测试服务。公司已经根据市场情况开展硅光工艺平台建设，目前公司基于SiN 硅光工艺平台已实现关键突破，传输损耗＜0.1dB/cm，并实现一款激光雷达和一款光通信产品的量产，产品良率达 95%以上；正在导入多款可应用于 O-Band、C-Band 不同波段下的通信类产品；SOI 硅光工艺平台完成了关键器件工艺开发。

2024-06-13 17:12:47

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尊敬的投资者您好，本年研发费用总额为2.96亿元，较上年增加1.23亿元，增加70.98%。公司研发费用主要分成承接的国家重大专项、公司内新工艺平台开发研发项目、公司已有工艺平台的产品技术迭代研发项目，其中大幅增长的研发项目主要集中在承接的国家重大专项及新工艺平台开发，同时公司新工艺平台研发增幅较大的主要原因系公司特种器件及制造板块为了应对市场产品需求迭代，研发项目增多导致；以上研发项目均有助于公司后续获取更高附加值产品的销售。 公司已经布局硅光新技术，正在按照节点有序推进，公司已于2023年成功量产基于 SiN 硅光工艺平台的光开关与激光雷达2款产品，波导传输损耗达<0.1dB/cm。

2024-05-15 10:46:00

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尊敬的投资者，公司四季度当季度实现营业收入60,283.04万元、实现归属于母公司所有者的净利润10,438.40万元；公司三季度当季度实现营业收入44,014.40万元、实现归属于母公司所有者的净利润8,038.02万元；公司四季度营业收入较三季度增长36.96%、归属于母公司所有者的净利润较三季度增长29.86%，大幅增长的主要原因为产品与方案板块四季度完成交付验收较三季度增长导致。

2024-05-15 10:52:00

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尊敬的投资者您好，公司一款光通信产品已实现工艺贯通，进入样品批试制阶段，正在按项目预期进度有序开展中。

2024-05-15 10:59:00

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尊敬的投资者您好，目前公司晶圆制造业务已完成了6英寸/8英寸/12英寸及6英寸 Si/SiC的产线布局。截止2023年底，公司6英寸1200V SiC SBD产品通过客户样品验证，产品良率达到95%以上；1200V SiC MOS器件产品完成了样品试制并通过了可靠性试验； 8英寸IGBT和FRD等工艺平台产品通过了国内新能源汽车头部企业的可靠性认证并实现批量供货；8英寸标准CMOS工业用显示驱动电路通过客户验证；12 英寸晶圆线规划产能 4 万片/月，工艺能力可达到 65nm，首款产品高密度功率器件完成了客户的可靠性认证，良率达到98.5%以上。谢谢。

2024-05-15 11:24:00

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