网友提问 ：你好，在功率半导体领域第三代半导体碳化硅和氮化镓，拥有比硅基功率半导体更好的性能，请问贵公司第三代半导体碳化硅衬底的MOSFET是否已实现量产？贵公司是否有另一种第三代半导体氮化镓衬底的器件？
2024-04-06 10:16:27
振华科技 (000733): 回答：您好，感谢您对公司的关注。公司已成功研制部分氮化镓衬底的功率器件-GaN HEMT，分别为低压100V系列和高压650V系列，目前处于用户试用阶段。
2024-04-09 23:33:35
振华科技最新互动问答
- 你好，未来低空经济将会井喷，地面汽车故障顶多熄火，飞行器故障是会掉下来的，低空飞行器对可靠性的要求比地面汽车高很多，高可靠元器件需求量很大，整机基本以万，十万为单位，这比军品领域的需求多得多，贵公司作为高可靠性元器件龙头企业，请问贵公司是否有往低空飞行领域拓展的计划？
2024-04-09 23:33:52
- 你好，请问贵公司目前第三代半导体碳化硅器件主要有哪些？氮化镓器件主要有哪些？
2024-04-09 23:34:19
- 你好，贵公司募集资金建设项目包括年产12万片硅/碳化硅，请问具体是硅还是碳化硅？是衬底生产还是晶圆制造？
2024-04-09 23:34:41
- 您好，请问公司与同行相比，研发优势有哪些？最新的研发人员总数是多少。谢谢。
2024-04-09 23:35:05
- 什么时候公布2023年年报
2024-04-09 23:35:31
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振华科技
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公司简介：
公司前身系中国振华电子集团公司,是由中国振华电子集团有限公司独家发起并以募集方式设立的高科技股份制企业。
经营范围：
新型电子元器件和现代服务业。
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