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网友提问 :公司上市后业绩逐年变脸,2024年中报直接亏损。请问公司都有什么措施来扭亏为盈?公司有没有市值管理举措来回报股东?

2024-09-10 15:34:11

燕东微 (688172): 回答:尊敬的投资者您好,在当前激烈的市场竞争环境下,燕东微将继续坚持创新为核心的发展战略,不断加大新品研发投入,积极开发新产品及新工艺平台,由传统的消费类市场向新能源、工业、汽车等新领域转移,不断提升公司综合竞争力。2024年上半年公司部分在研项目进展及阶段性成果如下: (1)6 英寸SiC芯片研发项目:进一步优化了产品的参数性能,多款产品产出优化后的样品, MOSFET工艺平台完成部分关键工艺优化; (2)IGBT技术升级项目:消费类沟槽型IGBT、车规级IGBT完成开发并实现批量生产; (3)沟槽分离栅MOSFET(SGT)工艺平台开发项目:100V SGT 已实现量产,目前正在结合快充应用场景对现有技术平台进行迭代升级和拓展; (4)热成像工艺平台开发项目:完成热成像工艺平台首款产品终端验证,实现了消费类热成像应用; (5)12 英寸硅光 SOI工艺平台开发项目:完成版图设计,开展工艺验证,已完成核心工艺技术复杂图形光刻工艺、低侧壁粗糙度刻蚀工艺验证; (6)磁耦合数字隔离器开发项目:完成电感隔离结构电路设计、版图设计,完成 MPW流片,电路功能正常; (7)硅高频功率MOS 场效应晶体管的系列化研发项目:2 款硅高频LDMOS产品小批量试生产;5款硅高频LDMOS产品评测合格,通过客户验证;2 款LDMOS新产品导入中; (8)54AC 项目:新增完成1款54AC系列产品的鉴定检验。累计完成15款54AC系列产品鉴定检验; (9)高压大功率驱动电路工艺平台研发项目:完成一款芯片功能验证,发布 PDK0.1; (10)12 英寸0.18um 40V/100V 工业驱动芯片工艺研发项目:确定了两个平台的器件清单及器件结构,完成两个平台初版flow制定; (11)多电压档超高压BCD 工艺平台研发项目:完成不同电压档(5V~600V)器件结构设计、tapeout准备工作、flow流程搭建,核心工艺开发; (12)模拟开关系列研发项目:完成6款模拟开关产品鉴定检验,14款完成流片,评测中,9款流片中。 2024年上半年实现了硅光工艺平台产品的量产,这一里程碑式的成就标志着公司在硅光技术领域的重大突破。硅光产品凭借其集成度高、成本低、功耗低等优势,已成功应用于光通信、光互连、激光雷达等多个关键领域。未来,燕东微将继续深耕硅光芯片领域,加大科研投入,推动技术创新与产业升级,积极回报投资者。

2024-09-10 15:34:11

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燕东微

法定名称:
北京燕东微电子股份有限公司
公司简介:
1987年10月6日,公司前身北京燕东微电子联合公司成立,后变更为北京燕东微电子有限公司。
经营范围:
设计、生产和销售分立器件及模拟集成电路、特种集成电路及器件;半导体开放式晶圆制造与封装测试服务。
注册地址
北京市朝阳区东直门外西八间房
办公地址
北京市北京经济技术开发区经海四路51号
主营收入