民德电子 (300656): 回答：答： 公司在硅基功率器件和 SiC 功率器件方面均是基于产业链进行布局，涉及 SiC外延片（晶睿电子）、晶圆加工（广芯微电子）、超薄片背道代工（芯微泰克）、芯片设计（广微集成）。目前，晶睿电子已着手准备 SiC 外延片的生产工作，且已有明确意向客户；明年，广微集成、广芯微电子、芯微泰克也将开展相应 SiC 业务并实现量产。公司核心技术团队在 SiC 功率器件方面拥有丰富的技术储备和产线建设经验。广微集成以谢刚博士为核心技术团队长期从事硅基功率半导体及第三代半导体功率器件的研发及产业化工作。谢刚博士在加拿大多伦多大学电子与计算机工程学院求学期间，曾全程主导台积电 6 英寸氮化镓工艺平台建设；2012 年以来，谢刚博士就职于浙江大学电气工程学院，主要从事增强型氮化镓功率半导体器件关键工艺及碳化硅激光退火技术等领域的研究；期间，谢刚博士与碳化硅器件领域著名专家盛况教授合作，于 2012 年共同成立浙江大学功率器件实验室，打造了国内高校第一条 4/6 寸兼容的碳化硅功率器件中试线，并牵头承担包括科技部第一个碳化硅 863 项目“能源高效转换高压大容量新型功率器件研发与应用”等在内的多项课题研究工作，并先后在 IEEE Electron DeviceLetters、IEE Electronics Letters 等国内外顶级期刊发表多篇论文。依托谢刚博士在碳化硅等第三代半导体功率器件关键技术及工艺等领域的深厚技术积累，广微集成在碳化硅功率器件的设计、制造工艺等关键环节已拥有双外延型沟槽式碳化硅肖特基二极管技术、高浪涌能力沟槽型碳化硅肖特基二极管关键技术、高可靠性沟槽型碳化硅肖特基二极管关键工艺等多项核心技术储备，并已取得了 8 项专利和 7项集成电路布线图设计权，另有多项专利及集成电路布线图设计权处于申请中。广微集成已与方正微电子就碳化硅工艺平台进行了初步验证，经过两年时间的验证，已形成了两款稳定、可量产的 1200V（分别为 2A 和 10A 规格）碳化硅肖特基二极管器件产品，该等产品处于小批量投产阶段，试产规模约 200 片，其中 1200V/10A 规格的产品已交由终端用户进行终端验证，验证时间已超过 3 个月，不存在异常反馈。此外，广芯微电子、芯微泰克、晶睿电子的多位核心技术团队成员曾在其原单位主导或参与过 SiC 功率器件、材料的研发和产业化工作。后续，公司将基于自主可控供应链，结合市场情况，逐步推出 SiC 功率器件系列产品。

2022-08-26 00:00:00