网友提问 ：臭氧与特定气体（如CF₄、SF₆）反应生成活性离子，用于硅、氮化硅等材料的精准蚀刻。相比传统等离子蚀刻，臭氧蚀刻对基材损伤更小，适用于高精度图形化工艺。减少热应力，避免第三代半导体材料（如碳化硅）因高温导致的晶格缺陷。公司有蚀刻相关的半导体臭氧设备吗？能起到怎样的作用？
2025-06-12 22:45:49
国林科技最新互动问答
- 公司有像业内其他公司一样，开发针对氧化镓(Ga₂O₃)、二硫化钼(MoS₂)等第四代半导体材料的专用臭氧工艺包吗？
2025-06-13 16:54:40
- 针对存储芯片客户需求，例如：3D NAND堆叠层数从128层升级至232层，要求薄膜沉积氧化工艺稳定性提升；公司有这方面的技术工艺吗？
2025-06-13 16:54:40
- 公司是否考虑改善一下国林新材料的销售团队和销售渠道，不要让好好的产品最后因为销售拖累了整体。
2025-06-13 16:55:11
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国林科技
法定名称：青岛国林科技集团股份有限公司
公司简介：
1994年12月13日,丁香鹏、陈建明与朱若英以货币形式设立“青岛国林实业有限责任公司”。
经营范围：
专业从事臭氧产生机理研究、臭氧设备设计与制造、臭氧应用工程方案设计与臭氧系统设备安装、调试、运行及维护等业务。
注册地址山东省青岛市市北区瑞昌路168号
办公地址山东省青岛市崂山区株洲路188号甲
主营收入13400
