拉普拉斯 (688726): 回答：TOPCon电池片由PERC电池片的基础架构升级而来，主要差别在于硼扩散与隧穿氧化及掺杂多晶硅层的制备：①由于衬底硅片由P型变为N型，所以需要在衬底表面进行硼扩散以制备P 发射极；②背面由隧穿氧化及掺杂多晶硅层构成，以多晶硅层的制备方式划分，主要分为三种技术路线，分别为LPCVD、PECVD及PVD，其中LPCVD相较于PECVD、PVD在技术成熟度、成膜质量（均匀性好、致密度高）方面具有优势，随着石英管寿命的提升以及双插工艺（双插，即一个舟齿放置两块硅片，相较于单插，硅片放置量提升一倍）的不断成熟，LPCVD已成为下游客户的主流选择。除上述外，TOPCon生产过程涉及的其他设备则与PERC大体相同，主要环节包括清洗制绒、刻蚀、正面氧化铝（Al2O3）沉积、双面氮化硅（SiNx）沉积、丝网印刷等。
XBC电池片制造工序较PERC差异较大，但也需要使用LPCVD制备隧穿氧化和掺杂多晶硅层，N型XBC则还需要硼扩散设备进行硼掺杂。

2024-10-17 16:43:00