网友提问 ：董秘您好，今日看文章得知液相SiC衬底制备法相较于PVT法SiC衬底制备有明显的成本优势，不知公司在液相法方面有没有展开研究，若有，是否有小试或中试产线？另外，美国限制出口的第四代半导体材料也是徐现刚教授的研究方向之一，公司是否与山大有关于第四代半导体的产业化合作？如有保密要求，您可以回答：过于先进，不便于展示。谢谢！
2022-08-25 17:34:05
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天岳先进
法定名称：山东天岳先进科技股份有限公司
公司简介：
2010年11月2日,公司前身"山东天岳先进材料科技有限公司"成立。
经营范围：
碳化硅衬底的研发、生产和销售。
注册地址山东省济南市槐荫区天岳南路99号
办公地址山东省济南市槐荫区天岳南路99号
主营收入36600
