网友提问 ：董秘你好！在第三代半导体领域，随着5G通讯、新能源汽车和充电桩等市场加速，进一步推动IGBT、SiC、GaN等功率器件的需求。ALD技术的金属氧化物、氮化物薄膜可作为栅氧层、钝化层和过渡层等，起到更好的器件漏电抑制、阻水阻氧效果。请问贵司第三代半导体碳化硅、氮化镓器件生产中是否采用ALD镀膜沉积制程？贵司是否已经掌握ALD或者CVD关键技术及设备制造？
2022-09-14 22:20:02
天岳先进最新互动问答
- 1.请问公司在碳化硅晶圆切割这一块，目前使用的是金刚石多线切割技术吗？切割设备和国内厂家合作的吗？ 2.对碳化硅晶圆切割新技术，激光切割和冷切割分别怎么看？有没有和国内外的厂家开始接触展开合作呢？ 3.公司用的碳粉 硅粉，以及碳化物粉，是全自己制备的？还是有向第三方厂家购买？
2022-09-14 22:20:02
- 天科合达正在和金博股份合作研发碳化硅热场，请问在热场环节，将来公司有用碳碳复材热场替代石墨热场的考虑吗。
2022-09-14 22:20:02
- 董秘你好！贵司现阶段正加快6英寸导电型衬底的市场开拓和产能建设，此次贵司与客户签订了预计金额13.93亿元的长期协议，为公司6英寸导电型碳化硅衬底的销售提供了有力保障，具有较大的行业和市场影响力，贵司的战略一直是聚焦碳化硅衬底，请问在晶盛机电自己下场做碳化硅衬底的情形下，贵司的碳化硅生长炉如何保证供应？还有其他家碳化硅生长炉了资贵司采购时考量吗？
2022-09-09 15:42:30
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天岳先进
法定名称：山东天岳先进科技股份有限公司
公司简介：
2010年11月2日,公司前身"山东天岳先进材料科技有限公司"成立。
经营范围：
碳化硅衬底的研发、生产和销售。
注册地址山东省济南市槐荫区天岳南路99号
办公地址山东省济南市槐荫区天岳南路99号
主营收入36600
