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网友提问 :您好,公司首创液相法制备出了低缺陷密度的8英寸晶体,请问气相法与液相法相比在实际量产中有什么不同?在残缺率和生产成本上差异如何?谢谢

2024-02-26 15:41:22

天岳先进 (688234): 回答:尊敬的投资者,您好!生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长,也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点,是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。碳化硅的单晶生产方式主要有物理气相传输法(PVT)、高温气相化学沉积法(HT-CVD)、液相法(LPE)等方法。其中,PVT法是目前产业内规模化碳化硅晶体生长方法。液相法SiC长晶技术具有多个优势,理论上具有晶体质量高等,受到产业内高度关注,但液相法的大规模应用尚存在需要攻克的产业化难点,目前液相法尚未实现产业化大规模生产。 公司积极探索和布局前瞻性技术,包括长晶工艺方面的液相法(LPE法)工艺。在2023 Semicon论坛上,公司首席技术官高超博士报告了公司核心技术及前瞻性研发情况,通过液相法制备出了低缺陷密度的8英寸晶体,属于业内首创。公司将持续加大研发力度,不断突破技术瓶颈,加快产品创新,巩固和提升公司在行业中的领先地位。谢谢您的关注!

2024-02-26 15:41:22

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天岳先进

法定名称:
山东天岳先进科技股份有限公司
公司简介:
2010年11月2日,公司前身"山东天岳先进材料科技有限公司"成立。
经营范围:
碳化硅衬底的研发、生产和销售。
注册地址
山东省济南市槐荫区天岳南路99号
办公地址
山东省济南市槐荫区天岳南路99号
主营收入